功率半导体器件仍然是电力电子技术发展的“龙头”，电力电子技术的进步必须依靠不断推出的新型电力电子器件。
功率场效应管(MOSFET)由于单极性多子导电，显著地减小了时间，因而很容易地便可达到1MHz的工作频率而受到世人瞩目。但是MOSFET，提高器件阻断电压必须加宽器件的漂移区，结果使器件内阻迅速增大，器件的通态压降增高，通态损耗增大，所以只能应用于中小功率产品。为了降低通态电阻，美国IR公司采用提高单位面积内的原胞个数的方法。如IR公司开发的一种HEXFET场效应管，其沟槽(Trench)原胞密度已达每平方英寸1.12亿个的世界最高水平，通态电阻R可达3mΩ。功率MOSFET，500V、TO220封装的HEXFET自1996年以来，其通态电阻以每年50%的速度下降。IR公司还开发了一种低栅极电荷(Qg)的HEXFET，使速度更快，同时兼顾通态电http://chifeng.tjsdtl.com/阻和栅极电荷两者同时降低，则R×Qg的下降率为每年30%。对于肖特基二极管的开发，最近利用Trench结构，有望出现压降更小的肖特基二极管，称作TMBS-沟槽MOS势垒肖特基，而有可能在极低通化箱式变压器电压应用中与同步整流的MOSFET竞争。摘自（通化箱式变压器）
